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K3P5C1000F-DC15

更新时间： 2024-01-03 21:53:32
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM输入元件光电二极管输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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K3P5C1000F-DC15 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP42,.6
针数：42Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：150 ns
其他特性：ALL INPUTS AND OUTPUTS TTL COMPATIBLE备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDIP-T42JESD-609代码：e0
长度：52.42 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP42,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.15 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

K3P5C1000F-DC15 数据手册

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K3P5C1000F-D(G)C  
CMOS MASK ROM  
16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
2,097,152 x 8(byte mode)  
1,048,576 x 16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access : 100ns(Max.)@CL=50pF,  
120ns(Max.)@CL=100pF  
The K3P5C1000F-D(G)C is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 2,097,152 x 8 bit(byte mode) or as  
1,048,576 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 4 words (or 8 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A3 ~ A19 should not be changed.  
Page Access  
: 30ns(Max.)@CL=50pF  
40ns(Max.)@CL=100pF  
4 Words / 8 Bytes page access  
· Supply voltage : single +5V  
· Current consumption  
This device operates with a 5V single power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Operating : 150mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
-. K3P5C1000F-DC : 42-DIP-600  
-. K3P5C1000F-GC : 44-SOP-600  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The K3P5C1000F-DC is packaged in a 42-DIP and the  
K3P5C1000F-GC in a 44-SOP.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A19  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(1,048,576x16/  
2,097,152x8)  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
.
.
.
.
.
.
.
.
1
2
42  
41  
40  
A18  
A19  
A8  
N.C  
A18  
N.C  
A19  
A8  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
A17  
A7  
3
A9  
A17  
A7  
3
4
A6  
A5  
39 A10  
4
A9  
5
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
A11  
A12  
A6  
A5  
A4  
A3  
A10  
A11  
5
Y
SENSE AMP.  
6
A4  
6
BUFFERS  
AND  
DECODER  
7
A3  
A13  
A14  
7
38 A12  
37 A13  
DATA OUT  
BUFFERS  
8
A2  
8
A2  
9
A1  
A15  
A16  
A14  
36  
A2  
A1  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A0  
A15  
35  
10  
11  
A0~A1  
A-1  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
Q8  
Q1  
BHE  
VSS  
. . .  
A0  
A16  
34  
DIP  
SOP  
CE 12  
33  
BHE  
Q15/A-1  
CE  
VSS  
13  
32 VSS  
Q7  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE 14  
Q15/A-1  
31  
30  
OE  
Q14  
Q6  
Q7  
Q0  
15  
BHE  
Q8  
Q1  
Q9  
16  
29 Q14  
28 Q6  
Q9 17  
Q13  
Q5  
17  
18  
18  
Q2  
Q13  
Q5  
27  
26  
25  
24  
19  
Q10  
Pin Name  
A0 - A1  
Pin Function  
Page Address Inputs  
Q12  
Q4  
Q2 19  
20  
21  
Q3  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Q11  
VCC  
Q3  
21  
22  
A2 - A19  
Q0 - Q14  
Address Inputs  
Q11  
23 VCC  
Data Outputs  
K3P5C1000F-DC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
K3P5C1000F-GC  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power ( +5V)  
Ground  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
No Connection  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3P5C1000F-GC10 SAMSUNG

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