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K2359TD650

更新时间： 2024-10-28 19:10:43

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力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	205K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4614A I(T)RMS, 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1 Element,

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K2359TD650 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	600 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4614 A
断态重复峰值电压：	6500 V	重复峰值反向电压：	6500 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

K2359TD650 数据手册

Date:- 20 Aug, 2002

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

An IXYS Company

Medium Voltage Thyristor

Types K2359TD600 to K2359TD650

Old Type No.: P1063DH60-65

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

6000-6500

6100-6600

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AV)M

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

Nominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)

Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)

Peak reverse gate voltage

2359

1647

1022

4614

4102

I_TSM2

I²t

3.65×10⁶

4.50×10⁶

200

A²s

A/µs

(di/dt)_cr

400

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

Mean forward gate power

Peak forward gate power

T_{j op}

Operating temperature range

-40 to +115

-40 to +150

°C

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 115°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=115°C.

Data Sheet. Types K2359TD600 to K2359TD650 Issue 1

Page 1 of 11

August, 2002

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