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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8536.69.40.30 |
| 风险等级： | 1.92 | 主体宽度： | 0.494 inch |
| 主体深度： | 0.194 inch | 主体长度： | 1.213 inch |
| 主体/外壳类型： | RECEPTACLE | 连接器类型： | D SUBMINIATURE CONNECTOR |
| 联系完成配合： | NOT SPECIFIED | 联系完成终止： | Gold Flash (Au) |
| 触点性别： | FEMALE | 触点材料： | NOT SPECIFIED |
| 触点模式： | STAGGERED | 触点电阻： | 13 m Ω |
| 触点样式： | RND PIN-SKT | DIN 符合性： | NO |
| 介电耐压： | 700VAC V | 空壳： | NO |
| 滤波功能： | NO | IEC 符合性： | NO |
| 绝缘电阻： | 1000000000 Ω | 绝缘体颜色： | BLACK |
| 绝缘体材料： | THERMOPLASTIC | MIL 符合性： | NO |
| 匹配触点行间距： | 0.112 inch | 插接信息： | MULTIPLE MATING PARTS AVAILABLE |
| 混合触点： | NO | 安装选项1： | #4-40 |
| 安装选项2： | JACKSCREW | 安装方式： | RIGHT ANGLE |
| 安装类型： | BOARD | PCB行数： | 1 |
| 装载的行数： | 2 | 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 选件： | GENERAL PURPOSE |
| PCB接触模式： | RECTANGULAR | 电镀厚度： | FLASH inch |
| 额定电流（信号）： | 2 A | 参考标准： | UL |
| 可靠性： | COMMERCIAL | 外壳面层： | TIN OVER NICKEL |
| 外壳材料： | STEEL | 外壳尺寸： | 1/E |
| 子类别： | D Type Connectors | 端子节距： | 1.385 mm |
| 端接类型： | SURFACE MOUNT | 触点总数： | 9 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K202XHT-E9S-NJ | KYCON |
获取价格 |
Right Angle Surface Mount |
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| K2030B1EB1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| K2030B1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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