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K0349LC640

更新时间： 2024-11-05 16:44:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	215K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 705A I(T)RMS, 6400V V(DRM), 6400V V(RRM), 1 Element

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K0349LC640 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	705 A	断态重复峰值电压：	6400 V
重复峰值反向电压：	6400 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

K0349LC640 数据手册

Date:- 20 Aug, 2002

Data Sheet Issue:- 2

WESTCODE

An IXYS Company

Medium Voltage Thyristor

Types K0349LC600 to K0349LC650

Old Type No.: P201CH60-65

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

6000-6500

6100-6600

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AV)M

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

Nominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)

Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)

Peak reverse gate voltage

349

221

134

705

622

4800

5300

115×10³

140×10³

150

A²s

A/µs

I_TSM2

I²t

(di/dt)_cr

300

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

V_GD

Mean forward gate power

Peak forward gate power

Non-trigger gate voltage, (Note 7)

0.25

T_{j op}

Operating temperature range

-40 to +115

-40 to +150

°C

T_stg

Storage temperature range

Notes: -

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 115°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=115°C.

7) Rated V_DRM

Data Sheet. Types K0349LC600 to K0349LC650 Issue 2.

Page 1 of 11

August, 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K0349LC650	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 705A I(T)RMS, 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1 Element,
K0391-K60	ETC	获取价格	Multilayer Chip Capacitors
K0392-K60	ETC	获取价格	Multilayer Chip Capacitors
K0393-K60	ETC	获取价格	Multilayer Chip Capacitors
K03DC030P160AAA	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
K03DC060P160AAA	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
K03DC100P160AAA	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
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K03DD060P160AAA	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
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