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JS28F128J3F75A

更新时间: 2024-01-05 08:32:20
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恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
66页 758K
描述
Flash, 8MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

JS28F128J3F75A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSSOP, TSSOP56,.8,20针数:56
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:8.32
最长访问时间:75 ns备用内存宽度:8
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G56
JESD-609代码:e3长度:18.4 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:128端子数量:56
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP56,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小:4/8 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:128K
最大待机电流:0.00012 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:14 mm

JS28F128J3F75A 数据手册

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Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm) Single Bit per Cell (SBC)  
1.2  
Acronyms  
SBC  
FDI  
CFI  
Single Bit per Cell  
Flash Data Integrator  
Common Flash Interface  
Scalable Command Set  
Command User Interface  
One Time Programmable  
Protection Lock Register  
Protection Register  
SCS  
CUI  
OTP  
PLR  
PR  
PRD  
RFU  
SR  
Protection Register Data  
Reserved for Future Use  
Status Register  
SRD  
WSM  
ECR  
ECD  
Status Register Data  
Write State Machine  
Enhanced Configuration Register  
Enhanced Configuration Register Data  
1.3  
Conventions  
h
Hexadecimal Suffix  
1,000  
K(noun)  
M (noun)  
Nibble  
Byte  
Word  
Kb  
1,000,000  
4 bits  
8 bits  
16 bits  
1,024 bits  
KB  
1,024 bytes  
1,024 words  
1,048,576 bits  
1,048,576 bytes  
1,048,576 words  
1,024 bits  
KW  
Mb  
MB  
MW  
Kbit  
Mbit  
1,048,576 bits  
Jan 2011  
208032-03  
Datasheet  
7

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