5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > JS28F128J3F75D
JS28F128J3F75D PDF预览

JS28F128J3F75D

更新时间： 2024-09-21 14:59:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON PC
页数 文件大小 规格书
132页 1301K
描述
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semiconductor die, wafers, packages, and PCBs.

阅读下载

中文翻译

获取价格

JS28F128J3F75D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.6
最长访问时间：75 ns备用内存宽度：8
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.00012 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：14 mm

JS28F128J3F75D 数据手册

 浏览型号JS28F128J3F75D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JS28F128J3F75D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JS28F128J3F75D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JS28F128J3F75D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JS28F128J3F75D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JS28F128J3F75D的Datasheet PDF文件第7页 
Micron Confidential and Proprietary  
4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory  
Features  
NAND Flash Memory  
MT29F4G08ABADAH4, MT29F4G08ABADAWP, MT29F4G08ABBDAH4,  
MT29F4G08ABBDAHC, MT29F4G16ABADAH4, MT29F4G16ABADAWP,  
MT29F4G16ABBDAH4, MT29F4G16ABBDAHC, MT29F8G08ADADAH4,  
MT29F8G08ADBDAH4, MT29F8G16ADADAH4, MT29F8G16ADBDAH4,  
MT29F16G08AJADAWP  
• First block (block address 00h) is valid when ship-  
ped from factory with ECC. For minimum required  
ECC, see Error Management.  
• Block 0 requires 1-bit ECC if PROGRAM/ERASE cy-  
cles are less than 1000  
Features  
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant1  
• Single-level cell (SLC) technology  
• Organization  
– Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)  
– Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)  
– Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)  
– Plane size: 2 planes x 2048 blocks per plane  
– Device size: 4Gb: 4096 blocks; 8Gb: 8192 blocks  
16Gb: 16,384 blocks  
• RESET (FFh) required as first command after pow-  
er-on  
• Alternate method of device initialization (Nand_In-  
it) after power up (contact factory)  
• Internal data move operations supported within the  
plane from which data is read  
• Quality and reliability  
– Data retention: 10 years  
– Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles  
• Operating voltage range  
• Asynchronous I/O performance  
–
tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)  
• Array performance  
– Read page: 25µs 3  
– Program page: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)3  
– Erase block: 700µs (TYP)  
– VCC: 2.7–3.6V  
– VCC: 1.7–1.95V  
• Operating temperature:  
• Command set: ONFI NAND Flash Protocol  
• Advanced command set  
– Commercial: 0°C to +70°C  
– Industrial (IT): –40ºC to +85ºC  
• Package  
– Program page cache mode4  
– Read page cache mode 4  
– 48-pin TSOP type 1, CPL2  
– 63-ball VFBGA  
– One-time programmable (OTP) mode  
– Two-plane commands 4  
– Interleaved die (LUN) operations  
– Read unique ID  
– Block lock (1.8V only)  
– Internal data move  
• Operation status byte provides software method for  
detecting  
1. The ONFI 1.0 specification is available at  
www.onfi.org.  
Notes:  
2. CPL = Center parting line.  
3. See Program and Erase Characteristics for  
tR_ECC and tPROG_ECC specifications.  
4. These commands supported only with ECC  
disabled.  
– Operation completion  
– Pass/fail condition  
– Write-protect status  
• Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware  
method of detecting operation completion  
• WP# signal: Write protect entire device  
PDF: 09005aef83b25735  
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - Rev. N 10/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2009 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
1234567...132

中文翻译

下载PDF

JS28F128J3F75D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JS28F128J3F75B MICRON

功能相似

 Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F128J3F75A MICRON

功能相似

 Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard

与JS28F128J3F75D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JS28F128J3F75H MICRON

获取价格

 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F128M29EWHF MICRON

获取价格

 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
JS28F128M29EWLA MICRON

获取价格

 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F128M29EWXX MICRON

获取价格

 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
JS28F128P30B85 NUMONYX

获取价格

 		Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85A NUMONYX

获取价格

 		Flash, 8MX16, 88ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F128P30BF75A MICRON

获取价格

 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F128P30T85 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30T85 NUMONYX

获取价格

 		Numonyx StrataFlash Embedded Memory

与JS28F128J3F75D相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证