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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | LEAD FREE, TSOP-56 | 针数： | 56 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.58 |
| 最长访问时间： | 110 ns | 启动块： | BOTTOM |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 56 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JS28F00AP30EF | MICRON | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) |
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| JS28F00AP30EF | NUMONYX | Flash, 64MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 |
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| JS28F00AP30EFA | MICRON | Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard |
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| JS28F00AP30TF | MICRON | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) |
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| JS28F00AP30TFA | MICRON | Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard |
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| JS28F00AP33BFA | MICRON | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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