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JPAD50L-18-E3

更新时间: 2024-11-09 14:51:47
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威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, TO-226AA

JPAD50L-18-E3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.66Is Samacsys:N
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-226AAJESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JPAD50L-18-E3 数据手册

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