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JCS830

更新时间： 2024-11-07 11:57:11

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华微电子 - JSMC		/
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14页	989K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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JCS830 数据手册

JCS830

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

符号

测试条件

最小典型最大单位

Parameter

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

BV_DSS

I_D=250μA, V_GS=0V

500

Drain-Source Voltage

击穿电压温度特性

ΔBV_DSS/Δ I_D=250μA, referenced to

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

0.54

V/℃

T_J

25℃

V_DS=500V,V_GS=0V,

零栅压下漏极漏电流

μA

I_DSS

T_C=25℃

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS=400V,

T_C=125℃

100 μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

I_GSSF

V_DS=0V, V_GS=30V

100 nA

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

I_GSSR

V_DS=0V, V_GS=-30V

-100 nA

通态特性On-Characteristics

阈值电压

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_fs

V_DS= V_GS, I_D=250μA

2.0

4.0

Ω

Gate Threshold Voltage

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

V_GS=10V , I_D=2.25A

1.16 1.5

正向跨导

V_DS= 40V, I_D=2.25A（note

4）

4.2

Forward Transconductance

动态特性Dynamic Characteristics

输入电容

V_DS=25V,

C_iss

C_oss

C_rss

800 1050 pF

76 100 pF

Input capacitance

输出电容

_GS=0V,

f=1.0MH_Z

Output capacitance

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

版本：201007A

3/14

1 234 5 6 7...14

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