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JCS110N07I

更新时间： 2024-04-09 18:59:21

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华微电子 - JSMC		/
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9页	1271K
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TO-220C

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JCS110N07I 数据手册

JCS110N07I

最小典型最大单位

项

目

符

号

测试条件

Parameter

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

BV_DSS

I_D=250μA, V_GS=0V

Drain-Source Voltage

V_DS=70V,V_GS=0V,

T_C=25℃

μA

零栅压下漏极漏电流

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS=70V,V_GS=0V,

T_C=100℃

20 μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

I_GSSF

V_DS=0V, V_GS=20V

V_DS=0V, V_GS=-20V

100 nA

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

I_GSSR

-100 nA

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_fs

V_DS= V_GS, I_D=250μA

2.0

4.0

Gate Threshold Voltage

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

V_GS=10V , I_D=40A

6.0

8.0 mΩ

正向跨导

V_DS= 35V , I_D=20A

Forward Transconductance

（note 4）

动态特性 Dynamic Characteristics

输入电容

C_iss

3800

500

Input capacitance

输出电容

V_DS=25V,

V_GS=0V,

f=1.0MH_Z

C_oss

C_rss

Output capacitance

反向传输电容

330

Reverse transfer capacitance

版本：202010B

3/9

1 234 5 6 7...9

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