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| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 50 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 |
| 长度： | 19.56 mm | 内存密度： | 256 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 32 words | 字数代码： | 32 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32X8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JBP18S030MJ | TI |
获取价格 |
256 BITS (32 WORDS BY 8 BITS) PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| JBP18S030MW | TI |
获取价格 |
256 BITS (32 WORDS BY 8 BITS) PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| JBP18S42MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,512X8,TTL,DIP,20PIN,CERAMIC |
|
| JBP18S46MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,512X8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| JBP18SA030MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,32X8,TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| JBP18SA22MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,256X8,TTL,DIP,20PIN,CERAMIC |
|
| JBP18SA42MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,512X8,TTL,DIP,20PIN,CERAMIC |
|
| JBP18SA46MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,512X8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| JBP24S10MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,256X4,TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| JBP24S41MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,1KX4,TTL,DIP,18PIN,CERAMIC |
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