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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.32 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T20 | 长度： | 24.2 mm |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 512 words |
| 字数代码： | 512 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512X8 | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 6.92 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JBP28L42MJ | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES |
|
| JBP28L45MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,512X8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| JBP28L466MJW | TI |
获取价格 |
IC,PROM,512X8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| JBP28LA22MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,256X8,TTL,DIP,20PIN,CERAMIC |
|
| JBP28S42 | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES |
|
| JBP28S42MJ | TI |
获取价格 |
STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES |
|
| JBP28S45MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,512X8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| JBP28S86MJ | TI |
获取价格 |
IC,PROM,1KX8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| JBP38L166MJW | TI |
获取价格 |
IC,PROM,2KX8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| JBPT0001Z | LITTELFUSE |
获取价格 |
3/8 “ Pass Thru Stud Block |
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