是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.11 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 25 Ω | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
膝阻抗最大值: | 750 Ω | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/117 | 标称参考电压: | 20 V |
最大反向电流: | 5 µA | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 17.2 mV/ °C | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 6.2 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N968BUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV1N968BUR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS | |
JANTXV1N968C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV1N968C-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV1N968C-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, | |
JANTXV1N968CUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV1N968CUR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, | |
JANTXV1N968D | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV1N968D-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTXV1N968D-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, |