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JANTXV1N962BUR-1 PDF预览

JANTXV1N962BUR-1

更新时间： 2024-11-07 20:17:35
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 113K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

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JANTXV1N962BUR-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-213AAJESD-30 代码：O-LELF-R2
膝阻抗最大值：700 Ω元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/117
标称参考电压：11 V最大反向电流：1 µA
表面贴装：YES技术：ZENER
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
最大电压容差：5%工作测试电流：11.5 mA
Base Number Matches：1

JANTXV1N962BUR-1 数据手册

 浏览型号JANTXV1N962BUR-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N962BUR-1 thru 1N986BUR-1  
and  
• 1N962BUR-1 thru 1N986BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/117  
CDLL957B thru CDLL986B  
• ZENER DIODES  
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ T  
= +125°C  
EC  
Power Derating: 10 mW / °C above T  
= +125°C  
EC  
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
NOMINAL  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
CURRENT  
MAX. DC  
ZENER  
CURRENT  
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE  
(NOTE 3)  
MAX. REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
V
Z
l
l
l
@ V  
ZT  
ZM  
R R  
MILLIMETERS  
INCHES  
(NOTE 1)  
(NOTE 2)  
Z
@ l  
Z
@ l  
ZK  
ZT  
ZT  
ZK  
mA  
DIM MIN MAX MIN MAX  
VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
µ A  
VOLTS  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
CDLL957B  
CDLL958B  
CDLL959B  
CDLL960B  
CDLL961B  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
18.5  
16.5  
15.0  
14.0  
12.5  
4.5  
5.5  
6.5  
7.5  
8.5  
700  
700  
700  
700  
700  
1.0  
.5  
.5  
.5  
.25  
55  
50  
45  
41  
38  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
2.0  
5.2  
5.7  
6.2  
6.9  
7.6  
G
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
CDLL962B  
CDLL963B  
CDLL964B  
CDLL965B  
CDLL966B  
11  
12  
13  
15  
16  
11.5  
10.5  
9.5  
8.5  
7.8  
9.5  
11.5  
13  
16  
17  
700  
700  
700  
700  
700  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
32  
31  
28  
25  
24  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
8.4  
9.1  
9.9  
11  
FIGURE 1  
12  
CDLL967B  
CDLL968B  
CDLL969B  
CDLL970B  
CDLL971B  
18  
20  
22  
24  
27  
7.0  
6.2  
5.6  
5.2  
4.6  
21  
25  
29  
33  
41  
750  
750  
750  
750  
750  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
20  
18  
16  
15  
13  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
14  
15  
17  
18  
21  
DESIGN DATA  
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)  
CDLL972B  
CDLL973B  
CDLL974B  
CDLL975B  
CDLL976B  
30  
33  
36  
39  
43  
4.2  
3.8  
3.4  
3.2  
3.0  
49  
58  
70  
90  
93  
1000  
1000  
1000  
1000  
1500  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
12  
11  
10  
9.5  
8.8  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
23  
25  
27  
30  
33  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
THERMAL RESISTANCE: (R  
100 ˚C/W maximum at L = 0 inch  
):  
OJEC  
CDLL977B  
CDLL978B  
CDLL979B  
CDLL980B  
CDLL981B  
47  
51  
56  
62  
68  
2.7  
2.5  
2.2  
2.0  
1.8  
105  
125  
150  
185  
230  
1500  
1500  
2000  
2000  
2000  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
7.9  
7.4  
6.8  
6.0  
5.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
36  
39  
43  
47  
52  
THERMAL IMPEDANCE: (Z ): 35  
JX  
˚C/W maximum  
CDLL982B  
CDLL983B  
CDLL984B  
CDLL985B  
CDLL986B  
75  
82  
91  
100  
110  
1.7  
1.5  
1.4  
1.3  
1.1  
270  
330  
400  
500  
750  
2000  
3000  
3000  
3000  
4000  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
5.0  
4.6  
4.1  
3.7  
3.3  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
56  
62  
69  
76  
84  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
NOTE 1  
NOTE 2  
NOTE 3  
Zener voltage tolerance on "B" suffix is + 5%. Suffix letter “A” denotes + 10%. No  
Suffix denotes + 20%. "C" suffix denotes + 2%, and "D" suffix denotes + 1%.  
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient  
temperature of 25°C + 3°C.  
Zener impedance is derived by superimposing on 1 A 60Hz rms a.c. current equal  
ZT  
to 10% of 1  
.
ZT  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JANTXV1N962BUR-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N962C MICROSEMI

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 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JANTXV1N962C-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH,
JANTXV1N962C-1 MICROSEMI

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 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JANTXV1N962CUR-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JANTXV1N962CUR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA
JANTXV1N962D MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JANTXV1N962D-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JANTXV1N962D-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 11V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, DO-35
JANTXV1N962DUR-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JANTXV1N962UR-1 MICROSEMI

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 		Silicon 500 mW Zener Diodes

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