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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 75 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 1.4 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/590 | 最大反向恢复时间： | 0.06 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6630U | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-B, 2 PIN |
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| JANTXV1N6630US | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JANTXV1N6630US | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-2 |
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| JANTXV1N6631 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JANTXV1N6631 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC, 306, 2 PIN |
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| JANTXV1N6631U | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-B, 2 PIN |
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| JANTXV1N6631U | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC, MELF-B, 2 PIN |
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| JANTXV1N6631US | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JANTXV1N6631US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 1000 VOLT, 2.8 AMP, 60 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE. |
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| JANTXV1N6632 | MICROSEMI |
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5 WATT GLASS ZENER DIODES |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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