是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-213AA | 包装说明: | O-LELF-R2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.37 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 2500 Ω |
最大正向电压 (VF): | 1.3 V | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
膝阻抗最大值: | 8000 Ω | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/117 | 标称参考电压: | 200 V |
最大反向电流: | 0.5 µA | 反向测试电压: | 152 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 电压温度Coeff-Max: | 220 mV/ °C |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 0.65 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N992BUR-1 | MICROSEMI |
完全替代 |
Silicon 500 mW Zener Diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N992C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTX1N992C-1 | MICROSEMI |
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Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTX1N992CUR-1 | MICROSEMI |
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Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTX1N992D | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTX1N992D-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTX1N992DUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTX1N992UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon 500 mW Zener Diodes | |
JANTX22GQ100 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA | |
JANTX2M | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTX2N0718A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |