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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANTX1N649-1
JANTX1N649-1 PDF预览

JANTX1N649-1

更新时间： 2024-02-15 23:05:04
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 171K
描述
Silicon Rectifier Diodes

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JANTX1N649-1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-XALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/240J最大重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

JANTX1N649-1 数据手册

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1N645 to 649  
or  
Silicon Rectifier Diodes  
DO-35 Glass Package  
1N645-1 to 649-1  
Use Advantages  
Used as a general purpose rectifier in power supplies, or for clipping and  
steering applications.  
High performance alternative to small signal diodes where space does not  
permit use of power rectifiers.  
May be used in hostile environments where hermeticity and reliability are  
important i.e. (Military and Aero/Space). MIL-S- 19500/ 240 approvals.  
Available up to JANTXV-1 level.  
"S" level screening capability to Source Control Drawings.  
Features  
DO -35 G lass Package  
Six Sigma quality  
Lead Dia.  
0.018-0.022"  
0.458-0.558 mm  
Humidity proof glass  
Metallurgicallybonded  
Thermally matched system  
No thermal fatigue  
High surge capability  
Dia.  
0.06-0.09"  
1.0"  
25.4 m m  
(M in.)  
Length  
0.120-.200"  
3.05-5.08- mm  
1.53-2.28 mm  
Sigma Bond™ plated contacts  
100% guaranteed solderability  
(DO-213AA) SMD MELF commercial (LL) and MIL (UR-1) types available  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Ptot  
Value  
600  
Unit  
mWatts  
mAmps  
oC  
Power Dissipation at 3/8" from the body, TL= 75 oC  
AverageForwardRectifiedCurrentatTL = 75 oC  
OperatingandStorageTemperatureRange  
ThermalImpedance  
IAV  
400  
TO&S  
ZqJX  
-65 to 175  
35  
oC/W  
Detail Specifications  
Breakdown  
Voltage  
(MIN.)  
@ 100µA  
(BV)  
Maximum  
Average Rectified Current  
_______________  
Forward  
Voltage  
Drop  
Maximum  
Maximum  
Surge  
Current Capacitance  
Typical  
Junction  
Reverse  
Voltage  
Reverse Leakage Current  
_______________  
(IR) @ VR  
(IO)  
(IO)  
(VF) @ IF = 400mA  
(IFSM  
)
@ -12V  
(CO)  
(VR)  
25° C  
150° C (MIN.)  
(MAX.) 25° C  
100° C  
(NOTE 1)  
Type  
Volts  
Volts  
Amps  
Amps  
Volts  
µA  
µA  
Amps  
pF  
1N645,-1  
1N646,-1  
1N647,-1  
1N648,-1  
1N649,-1  
225  
300  
400  
500  
600  
275  
360  
480  
600  
720  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.15  
0.15  
0.15  
0.15  
0.15  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
15  
15  
20  
20  
25  
3
3
3
3
3
9
9
9
9
9
Note 1: Surge Current @TA = +25° C to +150° C, for 1 Second  
For MELF DO-213AA surface mount package, replace "1N" prefix with "LL" for commercial.  
6 Lake Street - Lawrence, MA 01841  
Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135  
123

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JANTX1N649-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N649-1 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, MICRO MINI
1N649-1 MICROSEMI

类似代替

 Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

与JANTX1N649-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N6491CME3 MICROSEMI

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 		VOIDLESS HERMETICALLY SEALED 1.5 WATT GLASS ZENER DIODES
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 		Rectifier Diode,
JANTX1N649UR-1 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, 2 PIN
JANTX1N6506 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, DIP16

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