是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AA |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.28 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-213AA | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500 |
标称参考电压: | 10 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 1% |
工作测试电流: | 1 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N5530DUR-1 | MICROSEMI |
完全替代 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N5530DUR-1TR | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
JANTX1N5530DURTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 10V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS | |
JANTX1N5530DURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JANTX1N5530TR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JANTX1N5530UR | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | |
JANTX1N5530UR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JANTX1N5530UR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 10V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS | |
JANTX1N5530URTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JANTX1N5531 | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | |
JANTX1N5531-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |