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JANTV2N2920L

更新时间： 2024-01-24 20:24:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 287K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78, 6 PIN

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JANTV2N2920L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-78
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：O-MBCY-W6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTV2N2920L 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN SILICON DUAL TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500 /355  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTV  
JANS  
2N2919  
2N2920  
2N2919L  
2N2920L  
2N2919U  
2N2920U  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
70  
Vdc  
6.0  
30  
Vdc  
mAdc  
One  
Both  
Section 1 Sections 2  
PT  
200 350  
mW  
°C  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C  
TO-78  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
NOTES:  
1. Derate linearly 1.143mW/°C for TA > +25°C (one section)  
2. Derate linearly 2.000mW/°C for TA > +25°C (both sections)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc; Pulsed  
V(BR)CEO  
60  
Vdc  
U - Package  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 45Vdc  
VCB = 70Vdc  
ηAdc  
μAdc  
2.0  
10  
ICBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 5.0Vdc  
VEB = 6.0Vdc  
2.0  
10  
ηAdc  
μAdc  
IEBO  
T4-LDS-0202 Rev. 1 (110638)  
Page 1 of 4  
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与JANTV2N2920L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTV2N2920U MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
JANTV2N3810 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SIMILA
JANTV2N3810L MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SIMILA
JANTV2N3810U MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 PIN

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