5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压： | 10.4 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 2 W |
| 认证状态： | Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 8.4 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6107A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANS1N6107A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
|
| JANS1N6107A | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor |
|
| JANS1N6107AUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERM |
|
| JANS1N6107AUS | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
|
| JANS1N6107US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| JANS1N6107US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JANS1N6108 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANS1N6108 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
|
| JANS1N6108A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
