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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压： | 7.13 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 2 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/516 | 最大重复峰值反向电压： | 5.7 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6103A | MICROSEMI |
完全替代  |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| 1N6103A | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6103AUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERM |
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| JANS1N6103US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JANS1N6104 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
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| JANS1N6104 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANS1N6104A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANS1N6104A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
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| JANS1N6104AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JANS1N6104US | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JANS1N6105 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANS1N6105 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
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