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JANS1N4106CUR-1

更新时间： 2024-11-13 18:30:43

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CDI-DIODE		测试二极管
页数	文件大小	规格书
25页	225K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN

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JANS1N4106CUR-1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-213AA	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/435F	标称参考电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	0.25 mA
Base Number Matches：	1

JANS1N4106CUR-1 数据手册

The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 18 August 2007.

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/435H

18 May 2007

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/435G

10 November 2005

PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET

SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, LOW-NOISE VOLTAGE REGULATOR, TYPES

1N4099-1 THROUGH 1N4135-1, 1N4614-1 THROUGH 1N4627-1, 1N4099UR-1 THROUGH 1N4135UR-1,

1N4614UR-1 THROUGH 1N4627UR-1, PLUS C AND D TOLERANCE SUFFIX DEVICES,

JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

The requirements for acquiring the product described herein shall consist of

this specification sheet and MIL-PRF-19500.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for 500 milliwatt, silicon, low-noise, voltage

regulator diodes with voltage tolerances of 5 percent, 2 percent, and 1 percent. Four levels of product assurance are

provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500, and two levels of product assurance for

each unencapsulated device type (die). For JANHC and JANKC quality levels see 6.5.

* 1.2 Physical dimensions. See figure 1 (DO-35), figure 2 (DO-213AA), and figure 3 (JANHC and JANKC).

* 1.3 Maximum ratings Unless otherwise specified T_C= 25°C. Maximum ratings are as shown in maximum test

ratings herein (see 3.8), and as follows:

P_TL= 500 mW (DO-35) at T_L= 50°C, L = .375 inch (9.53 mm); both ends of case or diode body to heat sink at

L = .375 inch (9.53 mm). (Derate I_Zto 0.0 mA dc at +175°C).

_TEC= 500 mW (DO-213AA) at T_EC= 125°C. (Derate to 0 at 175°C). -65°C ≤ T_J≤ +175°C; -65°C ≤ T_STG

≤ +175°C.

= 400 mW, T = +55°C. (Derate to 0 at +55°C).

TPCB

Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center, Columbus,

ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to Semiconductor@dscc.dla.mil.

Since contact information can change, you may want to verify the currency of this address information using the

ASSIST Online database at http://assist.daps.dla.mil.

AMSC N/A

FSC 5961

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS1N4106D	MICROSEMI	获取价格	SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JANS1N4106D-1	CDI-DIODE	获取价格	Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN
JANS1N4106DUR-1	MICROSEMI	获取价格	SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JANS1N4106DUR-1	CDI-DIODE	获取价格	暂无描述
JANS1N4106UR-1	MICROSEMI	获取价格	SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JANS1N4106UR-1	SENSITRON	获取价格	Zener Diodes
JANS1N4107	MICROSEMI	获取价格	SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JANS1N4107-1	MICROSEMI	获取价格	SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES
JANS1N4107-1	SENSITRON	获取价格	Zener Diodes
JANS1N4107C	MICROSEMI	获取价格	SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

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