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JANS1N3157UR-1 PDF预览

JANS1N3157UR-1

更新时间： 2024-12-01 15:35:43
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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JANS1N3157UR-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/158P标称参考电压：8.4 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
电压温度Coeff-Max：0.084 mV/ °C最大电压容差：5%
Base Number Matches：1

JANS1N3157UR-1 数据手册

 浏览型号JANS1N3157UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N3154UR-1  
thru  
• 1N3154UR-1 THRU 1N3157UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV  
AND JANS PER MIL-PRF-19500/158  
1N3157UR-1  
and  
• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES  
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT  
CDLL3154  
thru  
• 8.4 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE  
• METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
CDLL3157A  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C  
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
REVERSE LEAKAGE CURRENT  
lR = 10 µA @ 25°C & VR = 5.5Vdc  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
STABILITY  
TEMPERATURE  
RANGE  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
G
V
@ I  
I
Z
∆V  
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
Z
ZT  
ZT  
ZT  
ZT  
MAXIMUM  
(Note 2)  
(Note 1)  
OHMS  
FIGURE 1  
VOLTS  
mA  
mV  
°C  
% / °C  
CDLL3154  
CDLL3154A  
8.00 - 8.80  
8.00 - 8.80  
10  
10  
15  
15  
130  
172  
-55 to +100  
-55 to +150  
.01  
.01  
DESIGN DATA  
CDLL3155  
CDLL3155A  
8.00 - 8.80  
8.00 - 8.80  
10  
10  
15  
15  
65  
86  
-55 to +100  
-55 to +150  
.005  
.005  
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)  
CDLL3156  
CDLL3156A  
8.00 - 8.80  
8.00 - 8.80  
10  
10  
15  
15  
26  
34  
-55 to +100  
-55 to +150  
.002  
.002  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
CDLL3157  
CDLL3157A  
8.00 - 8.80  
8.00 - 8.80  
10  
10  
15  
15  
13  
17  
-55 to +100  
-55 to +150  
.001  
.001  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING POSITION: Any.  
NOTE 1  
NOTE 2  
Zener impedance is derived by superimposing on l A 60Hz rms a.c. current  
ZT  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
equal to 10% of l  
.
ZT  
The maximum allowable change observed over the entire temperature range  
i.e., the diode voltage will not exceed the specified mV at any discrete  
temperature between the established limits, per JEDEC standard No.5.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS1N3595 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
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