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JANS1N3595

更新时间: 2024-12-02 05:29:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
20页 237K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JANS1N3595 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.4
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/241最大反向电流:0.001 µA
最大反向恢复时间:3 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL

JANS1N3595 数据手册

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