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JAN2804J

更新时间： 2024-01-13 12:59:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体驱动器小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
7页 106K
描述
HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS

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JAN2804J 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码：R-CDIP-T18元件数量：8
端子数量：18最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JAN2804J 数据手册

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SG2800 SERIES  
HIGH VOLTAGE MEDIUM  
CURRENT DRIVER ARRAYS  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The SG2800 series integrates eight NPN Darlington pairs with  
internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in  
many military, aerospace, and industrial applications that require  
severe environments. All units feature open collector outputs with  
greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA  
current carrying capabilities. Five different input configurations  
provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or  
CMOS drive signals. These devices are designed to operate from  
-55°C to 125°C ambient temperature in a 18-pin dual in-line  
ceramic (J) package and 20-pin leadless chip carrier (LCC).  
• Eight NPN Darlington pairs  
• Collector currents to 600mA  
• Output voltages from 50V to 95V  
• Internal clamping diodes for inductive loads  
• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs  
• Hermetic ceramic package  
HIGH RELIABILITY FEATURES  
♦ Available to MIL-STD-883 and DESC SMD  
♦ MIL-M38510/14106BVA - JAN2801J  
♦ MIL-M38510/14107BVA - JAN2802J  
♦ MIL-M38510/14108BVA - JAN2803J  
♦ MIL-M38510/14109BVA - JAN2804J  
♦ Radiation data available  
♦ LMI level "S" processing available  
PARTIAL SCHEMATICS  
4/90 Rev 1.5 11/97  
LINFINITY Microelectronics Inc.  
Copyright 1997  
11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841  
(714) 898-8121 FAX: (714) 893-2570  
1
∞
1234567

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与JAN2804J相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2805J MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon,
JAN2N0328A MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N0328AS MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N0329A MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N0329AS MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N0497 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
JAN2N0497S MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
JAN2N0656 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
JAN2N0656S MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

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