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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BCY | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.92 |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N0912 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PI |
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| JAN2N0912S | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PI |
|
| JAN2N0912S | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PI |
|
| JAN2N0918 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72 |
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| JAN2N0930 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| JAN2N1011 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N1016B | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| JAN2N1016C | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| JAN2N1021A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N1022A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
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