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JAN1N975B-1 PDF预览

JAN1N975B-1

更新时间： 2024-11-12 22:22:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

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JAN1N975B-1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred包装说明：O-LALF-W2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.23
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/117
标称参考电压：39 V表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：3.2 mA

JAN1N975B-1 数据手册

 浏览型号JAN1N975B-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JAN1N975B-1的Datasheet PDF文件第3页 
1N957 thru 1N986B  
and  
• 1N962B-1 THRU 1N986B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/117  
1N962B-1 thru 1N986B-1  
• METALLURGICALLY BONDED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C  
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
Forward Voltage @ 200mA: 1.1volts maximum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
JEDEC  
TYPE  
NOMINAL  
ZENER  
ZENER  
TEST  
MAX. DC  
ZENER  
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE  
MAX. REVERSE  
NUMBER  
VOLTAGE  
CURRENT  
CURRENT  
LEAKAGE CURRENT  
V
Z
(NOTE 2)  
1
(NOTE 3)  
ZT  
(NOTE 1)  
Z
@ 1  
ZT  
Z
@ 1  
ZK  
1
l
@ V  
R
R
ZT  
ZK  
ZM  
VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
mA  
µ A  
VOLTS  
1N957B  
1N958B  
1N959B  
1N960B  
1N961B  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
18.5  
16.5  
15.0  
14.0  
12.5  
4.5  
5.5  
6.5  
7.5  
8.5  
700  
700  
700  
700  
700  
1.0  
.5  
.5  
.5  
.25  
55  
50  
45  
41  
38  
5
5
5
5
2
5.2  
5.7  
6.2  
6.9  
7.6  
1N962B  
1N963B  
1N964B  
1N965B  
1N966B  
11  
12  
13  
15  
16  
11.5  
10.5  
9.5  
8.5  
7.8  
9.5  
11.5  
13  
16  
17  
700  
700  
700  
700  
700  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
32  
31  
28  
25  
24  
1
1
0.5  
0.5  
0.5  
8.4  
9.1  
9.9  
11  
FIGURE 1  
12  
1N967B  
1N968B  
1N969B  
1N970B  
1N971B  
18  
20  
22  
24  
27  
7.0  
6.2  
5.6  
5.2  
4.6  
21  
25  
29  
33  
41  
750  
750  
750  
750  
750  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
20  
18  
16  
15  
13  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
14  
15  
17  
18  
21  
DESIGN DATA  
CASE: Hermetically sealed glass  
case. DO – 35 outline.  
1N972B  
1N973B  
1N974B  
1N975B  
1N976B  
30  
33  
36  
39  
43  
4.2  
3.8  
3.4  
3.2  
3.0  
49  
58  
70  
90  
93  
1000  
1000  
1000  
1000  
1500  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
12  
11  
10  
9.5  
8.8  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
23  
25  
27  
30  
33  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N977B  
1N978B  
1N979B  
1N980B  
1N981B  
47  
51  
56  
62  
68  
2.7  
2.5  
2.2  
2.0  
1.8  
105  
125  
150  
185  
230  
1500  
1500  
2000  
2000  
2000  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
7.9  
7.4  
6.8  
6.0  
5.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
36  
39  
43  
47  
52  
THERMAL RESISTANCE: (R  
):  
OJEC  
250 °C/W maximum at L = .375 inch  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 35  
OJX  
1N982B  
1N983B  
1N984B  
1N985B  
1N986B  
75  
82  
91  
100  
110  
1.7  
1.5  
1.4  
1.3  
1.1  
270  
330  
400  
500  
750  
2000  
3000  
3000  
3000  
4000  
.25  
.25  
.25  
.25  
.25  
5.0  
4.6  
4.1  
3.7  
3.3  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
56  
62  
69  
76  
84  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
NOTE 1  
NOTE 2  
NOTE 3  
Zener voltage tolerance on "B"suffix is + 5%. Suffix letter A denotes +10%. No Suffix  
denotes + 20% tolerance, "C" suffix denotes + 2% and "D" suffix denotes + 1%.  
MOUNTING POSITION: Any.  
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at  
an ambient temperature of 25°C + 3°C.  
Zener impedance is derived by superimposing on 1  
A 60Hz rms a.c. current  
ZT  
equal to 10% of 1  
ZT  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (978) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
23  
123

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JAN1N975B-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N974B-AP MCC

功能相似

 暂无描述
1N974B VISHAY

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 ZENER DIODES

与JAN1N975B-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N975BUR-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JAN1N975BUR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS
JAN1N975C MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JAN1N975C-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JAN1N975C-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 39V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH,
JAN1N975CUR-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JAN1N975CUR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 39V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,
JAN1N975D MICROSEMI

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 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JAN1N975D-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon 500 mW Zener Diodes
JAN1N975D-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 39V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH,

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