是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AA |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.27 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 标称参考电压: | 10 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 1 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N5530BUR-1 | MICROSEMI |
完全替代 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
MLL5530B | MICROSEMI |
功能相似 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5530BUR-1TR | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
JAN1N5530BURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5530C | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | |
JAN1N5530C-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5530C-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS | |
JAN1N5530CTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5530CUR | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | |
JAN1N5530CUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
JAN1N5530CURTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS | |
JAN1N5530CURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |