是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.34 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/127 | 标称参考电压: | 2.7 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 1% | 工作测试电流: | 20 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N4371E3 | MICROSEMI |
完全替代 |
Zener Diode, 2.7V V(Z), 10%, 0.417W, Silicon, Unidirectional, DO-204AA, ROHS COMPLIANT, HE | |
1N4371ARL | TAK_CHEONG |
类似代替 |
Zener Diode, 2.7V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N4371DTR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371DTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371DUR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371DUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371DUR-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 2.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, | |
JAN1N4371DURTR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371DURTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371TR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371TR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N4371UR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES |