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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-9 |
| 包装说明： | METAL, DO-9, 1 PIN | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-205AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 6250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 300 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/211 |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3174R | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, Silicon, DO-205AB, |
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| JAN1N3174R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 |
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| JAN1N3175R | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, |
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| JAN1N3206 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon |
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| JAN1N3287 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 6V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N3287R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 6V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N3287X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 6V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N3289 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA |
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| JAN1N3289RA | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N3291A | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 400V V(RRM), Silicon, |
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