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JAN1N3206

更新时间: 2024-11-15 14:51:43
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 542K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon

JAN1N3206 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.92Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-F2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.1 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/195
最大反向电流:0.5 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N3206 数据手册

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