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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.59 | 其他特性： | LOW INSERTION LOSS |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 125 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | JEDEC-95代码： | TO-226AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J175L18-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175L18-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175L-1TA | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175L-1TR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175L-2TR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175L-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175LTA | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175LTR | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175LTR | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J175LTR1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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