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IXKX50N60BU1

更新时间: 2022-04-23 23:00:11
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IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 146K
描述
IGBT with Diode

IXKX50N60BU1 数据手册

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IXSK 50N60BU1  
IXSX 50N60BU1  
160  
120  
80  
100  
80  
60  
40  
20  
0
TJ = 25°C  
V
GE = 15V  
TJ = 25°C  
13V  
11V  
VGE = 15V  
13V  
11V  
9V  
40  
9V  
7V  
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
2
4
6
8
10  
VCE - Volts  
VCE - Volts  
Figure 1. Saturation Voltage Characteristics  
Figure 2. Extended Output Characteristics  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
100  
80  
60  
40  
20  
0
V
GE = 15V  
13V  
IC = 100A  
TJ = 125°C  
VGE = 15V  
11V  
I
C = 50A  
IC = 25A  
9V  
7V  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
2
4
6
8
10  
VCE - Volts  
TJ - Degrees C  
Figure 3. Saturation Voltage Characteristics  
Figure 4. Temperature Dependence of VCE(sat)  
10000  
1000  
100  
100  
80  
60  
40  
20  
0
f = 1Mhz  
V
CE = 10V  
C
iss  
C
oss  
TJ = 125°C  
C
rss  
TJ = 25°C  
10  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
4
6
8
10  
VGE - Volts  
12  
14  
16  
VCE-Volts  
Figure 5. Admittance Curves  
Figure 6. Capacitance Curves  
© 2000 IXYS All rights reserved  
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