Datasheet > IXKX50N60BU1

IXKX50N60BU1

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	146K
描述
IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXKX50N60BU1 数据手册

IXSK 50N60BU1

IXSX 50N60BU1

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

PLUS247^TM(IXSX)

g_fs

I_C= I_C90; V_CE= 10 V,

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle £ 2 %

I_C(on)

V_GE= 15 V, V_CE= 10 V

160

C_ies

C_oes

C_res

3850

440

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V, f = 1 MHz

Q_g

167

Q_ge

Q_gc

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, V_CE= 0.5 V_CES

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max. Min. Max.

t_d(on)

t_ri

t_d(off)

t_fi

Inductive load, T_J= 25°C

A₁

A₂

4.83

2.29

1.91

5.21

2.54

2.16

.190 .205

.090 .100

.075 .085

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, L = 100 mH,

V_CE= 0.8 V_CES, R_G= 2.7 W

b₁

b₂

1.14

1.91

2.92

1.40

2.13

3.12

.045 .055

.075 .084

.115 .123

150

3.3

300 ns

6.0 mJ

Remarks: Switching times may increase

for V_CE(Clamp) > 0.8 • V_CES, higher T_Jor

increased R_G

0.61

20.80 21.34

15.75 16.13

0.80

.024 .031

.819 .840

.620 .635

E_off

t_d(on)

t_ri

5.45 BSC

19.81 20.32

.215 BSC

.780 .800

.150 .170

Inductive load, T_J= 125°C

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, L = 100 mH

V_CE= 0.8 V_CES, R_G= 2.7 W

3.81

4.32

E_on

t_d(off)

t_fi

2.5

230

5.59

4.32

6.20

4.83

.220 .244

.170 .190

Remarks: Switching times may increase

for V_CE(Clamp) > 0.8 • V_CES, higher T_Jor

increased R_G

TO-264 AA Outline

E_off

4.8

R_thJC

R_thCK

0.42 K/W

K/W

0.15

Reverse Diode (FRED)

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Symbol

V_F

TestConditions

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

Max.

Min.

Max.

I_F= I_C90, V_GE= 0 V,

1.8

4.82

2.54

2.00

5.13

2.89

2.10

.190

.100

.079

.202

.114

.083

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

1.12

2.39

2.90

1.42

2.69

3.09

.044

.094

.114

.056

.106

.122

I_RM

t_rr

I_F= I_C90, V_GE= 0 V, -di_F/dt = 480 A/ms

V_R= 360 V

175

T_J= 125°C

0.53

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.83

.021

1.020

.780

.033

1.030

.786

I_F= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V_R= 30 V T_J= 25°C

50 ns

R_thJC

0.75 K/W

.215 BSC

0.00

0.25

.000

.010

20.32 20.83

.800

.090

.820

.102

2.29

2.59

3.17

3.66

.125

.144

6.07

8.38

6.27

8.69

.239

.330

.247

.342

3.81

1.78

4.32

2.29

.150

.070

.170

.090

6.04

1.57

6.30

1.83

.238

.062

.248

.072

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

2 - 6

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

123 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXKX50N60BU1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXLD02SI	IXYS	获取价格	Differential 2A Ultra Fast Laser Diode Driver
IXLD1426COA	ETC	获取价格	Dual MOSFET Driver
IXLD1426CPA	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD1427COA	ETC	获取价格	Dual MOSFET Driver
IXLD1427CPA	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD1428CPA	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD426C/Y	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET Driver, CMOS,
IXLD426CPA	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD426IJA	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET Driver, CMOS, CDIP8
IXLD426IJA/BI	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET Driver, CMOS, CDIP8

与IXKX50N60BU1相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

10
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

13
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

17
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXKX50N60BU1

IXKX50N60BU1 数据手册

与IXKX50N60BU1相关器件

与IXKX50N60BU1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXKX50N60BU1

IXKX50N60BU1 数据手册

与IXKX50N60BU1相关器件

与IXKX50N60BU1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？