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IXBOD1-18RD

更新时间： 2024-01-01 13:58:30

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
8页	255K
描述
RVS Blocking BOD, 1800V V(BO) Max,

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IXBOD1-18RD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.62	最大转折电压：	1800 V
最小转折电压：	1750 V	配置：	SINGLE
最大维持电流：	30 mA	标称维持电流：	30 mA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Breakover Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	RVS BLOCKING BOD
Base Number Matches：	1

IXBOD1-18RD 数据手册

Example of a circuit

A simple emergency triggering circuit.

R₁

R₃

: Thyristor

R₁

D₁

D₃

D₄

: Current limiting resistance (0 - 200 Ω)

: Series-diode (fast recovery diode)

: Protection diode

D₁

IXBOD

: Zener diode, typical V_Z: 3-6 V

R₂, C₂: Protection against parasitic triggering;

recommended values:

D₄D₃

C₂

C₃

R₂: 100 - 1000 Ω

C₂: 22 - 47 nF

R₂

R₃, C₃: Snubber network of the thyristor

Notice

1. A IXBOD element has a maximum reverse

blocking voltage of 10V.

I_R

2. For higher reverse voltages a fast, soft recovery

diode must be connected in series (Fig. 9).

This diode must fulfill the conditions of Fig. 10.

I_R

t_B

0,1

µs

2 3 5 7 10

Fast recovery

diode

IXBOD single

t_B

IXBOD module

Fig. 10 Maximum peak value of the

reverse current admissible for a given

pulse-width t_B, which is required for the

suitable fast recovery series-diode.

Fig. 9 IXBOD protection by a fast recovery

diode.

H - 7

1...4 5 678

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IXBOD1-19R	LITTELFUSE	Breakover Gen1系列提供各种电压范围的转折二极管，具有快速导通特性、低温度依赖	获取价格
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