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IXBOD1-18RD

更新时间: 2024-02-27 19:21:42
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
RVS Blocking BOD, 1800V V(BO) Max,

IXBOD1-18RD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.62最大转折电压:1800 V
最小转折电压:1750 V配置:SINGLE
最大维持电流:30 mA标称维持电流:30 mA
JESD-30 代码:R-PSIP-T2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
子类别:Breakover Diodes表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:RVS BLOCKING BOD
Base Number Matches:1

IXBOD1-18RD 数据手册

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IXBOD 1 -12R...42R(D)  
A
K
A
K
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
Fig. 5 Energy per pulse for single BOD element  
for trapezoidal wave current. EP must be multiplied  
by number of elements for total energy.  
Fig. 6 Energy per pulse for single BOD element  
for exponentially decaying current pulse. EP must  
be multiplied by number of elements for total  
energy.  
n = number of BOD-Elements in series  
[V]  
VT  
[K/W]  
ZthJA  
Va = 0 m/s  
Va = 2 m/s  
t
[s]  
iT [A]  
Fig. 7 On-state voltage at TVJ = 125°C.  
Fig. 8 Transient thermal resistance.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
H - 5  

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