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IXBOD1-18RD

更新时间： 2024-02-25 05:21:30

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8页	255K
描述
RVS Blocking BOD, 1800V V(BO) Max,

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IXBOD1-18RD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.62	最大转折电压：	1800 V
最小转折电压：	1750 V	配置：	SINGLE
最大维持电流：	30 mA	标称维持电流：	30 mA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Breakover Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	RVS BLOCKING BOD
Base Number Matches：	1

IXBOD1-18RD 数据手册

IXBOD 1 -06...10

V_BO= 600-1000V

I_AVM= 0.9 A

Single Breakover Diode

V_BO

Standard

Types

600 ±50

700 ±50

800 ±50

900 ±50

1000 ±50

IXBOD 1 -06

IXBOD 1 -07

IXBOD 1 -08

IXBOD 1 -09

IXBOD 1 -10

Symbol

Conditions Ratings

I_D

T_VJ= 125°C;

V = 0,8x V_BO

µA

V_BO

I_RMS

V_BO(T_VJ) = V_{BO, 25°C}[1 + K_T(T_VJ- 25°C)]

f = 50 HZ;

T_amb= 50°C

1.4

connection pins soldered to printed circuit

(conductor 0,035x2mm)

I_AVM

I_SM

I²t

0.9

200

t_p= 0.1 ms;

T_amb= 50°C non repetitive

T_amb= 50°C

A²s

T_amb

T_stg

-40...+125

125

°C

T_VJm

°C

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

K_TTemperatur coefficient of V_BO

K_Pcoefficient for energy per pulse E_P(material constant)

2·10^-3

K^-1

700

K/Ws

R_thJA

- natural convection

- with air speed 2 m/s

K/W

Weight

Symbol

Conditions

Characteristic Values

I_BO

T_VJ

25°C

50°C;

I_H

V_H

4 - 8

(dv/dt)_C

(di/dt)_C

V_D= 0.67·(V_BO+ 100V)

> 1000

200

V/µs

A/µs

T_VJ= 125°C;

T_VJ= 125°C

V_D= V_BO; I_T= 80A; f = 50 Hz

t_q(typ)

V_D= 0.67·V_BO; V_R= 0V

150

µs

dV/dt_(lin.)= 200V/µs; I_T= 80A; di/dt = -10A/µs

V_T

T_VJ=125°C; I_T= 5A

1.7

V_(TO)

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= 125°C

1.1

0.12

Ω

IXYS reserve at these the right to change limits, test conditions and dimensions; Data according to IEC 60747

H - 2

123 4 5 6 7 8

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