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IS93C56A-3PI

更新时间: 2024-02-11 13:32:01
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美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
16页 131K
描述
2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM

IS93C56A-3PI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSSOP
包装说明:TSSOP, TSSOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.91
Is Samacsys:N备用内存宽度:8
最大时钟频率 (fCLK):2 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:4.4 mm
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.001 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

IS93C56A-3PI 数据手册

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®
IS93C56A  
IS93C66A  
ISSI  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TA = –40°C to +85°C for Industrial and –40°C to +125°C for Automotive.  
Symbol Parameter  
TestConditions  
IOL = 100 µA  
Vcc  
Min.  
Max.  
0.2  
Unit  
VOL2  
VOL1  
VOH2  
VOH1  
VIH  
OutputLOWVoltage  
1.8V to 2.7V  
2.7V to 5.5V  
1.8V to 2.7V  
2.7V to 5.5V  
1.8V to 5.5V  
1.8V to 5.5V  
V
V
OutputLOWVoltage  
OutputHIGHVoltage  
OutputHIGHVoltage  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
InputLeakage  
IOL = 2.1mA  
0.4  
IOH = –100 µA  
IOH = –400 µA  
VCC – 0.2  
2.4  
V
V
0.7XVCC  
–0.3  
0
VCC+1  
0.2XVCC  
2.5  
V
VIL  
V
ILI  
VIN = 0V to VCC (CS, SK,  
DIN,ORG)  
µA  
µA  
ILO  
OutputLeakage  
VOUT = 0V to VCC, CS = 0V  
0
2.5  
Notes:  
Automotive grade devices in this table are tested with Vcc = 2.5V to 5.5V. An operation with Vcc <2.5V is not specified.  
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS  
TA =40°Cto+85°Cfor Industrial,40°Cto+125°Cfor Automotive.  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Vcc  
Min. Typ. Max. Unit  
ICC1  
ICC2  
ISB1  
ISB2  
Vcc Read Supply Current CS = VIH, SK = 1 MHz, CMOS input levels  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
1.8V  
2.5V  
5.0V  
0.1  
0.2  
0.5  
1
1
2
mA  
mA  
mA  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
Vcc Write Supply Current CS = VIH, SK = 1 MHz, CMOS input levels  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
1.8V  
2.5V  
5.0V  
0.5  
1
2
1
2
3
mA  
mA  
mA  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
Standby Current  
Standby Current  
CS = GND, SK = GND,  
ORG = VCC or Floating (x16)  
1.8V  
2.5V  
5.0V  
0.1  
0.1  
0.2  
1
2
4
µA  
µA  
µA  
CS = GND, SK = GND,  
ORG = GND (x8)  
1.8V  
2.5V  
6
6
10  
10  
µA  
µA  
5.0V  
10  
15  
µA  
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. A  
05/02/06  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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