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IS93C56A-3GRLI

更新时间: 2024-02-25 04:41:13
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 61K
描述
EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8

IS93C56A-3GRLI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.41
备用内存宽度:8最大时钟频率 (fCLK):2 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.000002 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.002 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

IS93C56A-3GRLI 数据手册

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®
IS93C56A  
IS93C66A  
ISSI  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TA = –40°C to +85°C for Industrial and –40°C to +125°C for Automotive.  
Symbol Parameter  
TestConditions  
IOL = 100 µA  
Vcc  
Min.  
Max.  
0.2  
Unit  
VOL2  
VOL1  
VOH2  
VOH1  
VIH  
OutputLOWVoltage  
1.8V to 2.7V  
2.7V to 5.5V  
1.8V to 2.7V  
2.7V to 5.5V  
1.8V to 5.5V  
1.8V to 5.5V  
V
V
OutputLOWVoltage  
OutputHIGHVoltage  
OutputHIGHVoltage  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
InputLeakage  
IOL = 2.1mA  
0.4  
IOH = –100 µA  
IOH = –400 µA  
VCC – 0.2  
2.4  
V
V
0.7XVCC  
–0.3  
0
VCC+1  
0.2XVCC  
2.5  
V
VIL  
V
ILI  
VIN = 0V to VCC (CS, SK,  
DIN,ORG)  
µA  
µA  
ILO  
OutputLeakage  
VOUT = 0V to VCC, CS = 0V  
0
2.5  
Notes:  
Automotive grade devices in this table are tested with Vcc = 2.5V to 5.5V. An operation with Vcc <2.5V is not specified.  
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS  
TA =40°Cto+85°Cfor Industrial,40°Cto+125°Cfor Automotive.  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Vcc  
Min. Typ. Max. Unit  
ICC1  
ICC2  
ISB1  
ISB2  
Vcc Read Supply Current CS = VIH, SK = 1 MHz, CMOS input levels  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
1.8V  
2.5V  
5.0V  
0.1  
0.2  
0.5  
1
1
2
mA  
mA  
mA  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
Vcc Write Supply Current CS = VIH, SK = 1 MHz, CMOS input levels  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
1.8V  
2.5V  
5.0V  
0.5  
1
2
1
2
3
mA  
mA  
mA  
CS = VIH, SK = 2 MHz, CMOS input levels  
Standby Current  
Standby Current  
CS = GND, SK = GND,  
ORG = VCC or Floating (x16)  
1.8V  
2.5V  
5.0V  
0.1  
0.1  
0.2  
1
2
4
µA  
µA  
µA  
CS = GND, SK = GND,  
ORG = GND (x8)  
1.8V  
2.5V  
6
6
10  
10  
µA  
µA  
5.0V  
10  
15  
µA  
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. 00E  
06/21/05  

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