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IS62LV2568LL-100T

更新时间： 2024-01-31 17:48:21

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	253K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32

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IS62LV2568LL-100T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSOP32,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62LV2568LL-100TI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-100TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32
IS62LV2568LL-55B	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55BI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55H	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55HI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55T	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55TI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-70B	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-70B	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM