Datasheet > IS62LV2568LL-100TI

IS62LV2568LL-100TI

更新时间： 2024-01-02 11:32:08

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	253K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS62LV2568LL-100TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62LV2568LL-55B	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55BI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55H	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55HI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55T	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-55TI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-70B	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-70B	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-70BI	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM
IS62LV2568LL-70BI	ICSI	获取价格	256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM