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IS61S6432-4.8TQI

更新时间: 2024-01-06 22:09:04
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 646K
描述
Standard SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61S6432-4.8TQI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TQFP-100Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:5 ns
最大时钟频率 (fCLK):117 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:100字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.36 mA
最大供电电压 (Vsup):3.63 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

IS61S6432-4.8TQI 数据手册

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