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IS61S6432-4.8PQI

更新时间: 2024-10-02 20:21:11
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 646K
描述
Standard SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100

IS61S6432-4.8PQI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, QFP-100Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:5 ns最大时钟频率 (fCLK):117 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
功能数量:1端子数量:100
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP100,.7X.9
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.36 mA最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

IS61S6432-4.8PQI 数据手册

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