是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | CONFIGURABLE AS 128K X 16 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 28.58 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ44,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.76 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.235 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61C12816-20KI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C12816-20T | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C12816-20TI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C180 | ETC |
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IS61C180-12N | ISSI |
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Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP22 | |
IS61C256 | ISSI |
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WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS | |
IS61C25616 | ISSI |
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256K X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 5V SUPPLY | |
IS61C25616-10K | ISSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | |
IS61C25616-10T | ISSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 | |
IS61C25616-10TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |