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IS41C16100S-50T

更新时间: 2024-01-16 20:34:58
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 868K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

IS41C16100S-50T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:TSOP, TSOP44/50,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82最长访问时间:50 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44/50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:YES
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.16 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IS41C16100S-50T 数据手册

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