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IS41C16100S-60T

更新时间： 2024-09-28 20:26:23

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	868K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

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IS41C16100S-60T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44/50,.46,32	针数：	50
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN /SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
最大压摆率：	0.145 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS41C16100S-60TI	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16105	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16105	ISSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16105-50K	ISSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16105-50K	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16105-50KE	ISSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16105-50KI	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16105-50KI	ISSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16105-50KL	ISSI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-027, SOJ-42
IS41C16105-50KLE	ISSI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-027, SOJ-42