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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 2.1 MHz | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.3218 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS25C256-3PA3 | ISSI |
获取价格 |
128K-bit/ 256K-bit SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
|
| IS25C256-3PI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 |
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| IS25C256-3PLA3 | ISSI |
获取价格 |
128K-bit/ 256K-bit SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
|
| IS25C256-3WA3 | ISSI |
获取价格 |
128K-bit/ 256K-bit SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
|
| IS25C256-3WLA3 | ISSI |
获取价格 |
128K-bit/ 256K-bit SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
|
| IS25C256-3ZI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 |
|
| IS25C32-2G | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 |
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| IS25C32-2GI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 |
|
| IS25C32-2TI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO14, TSSOP-14 |
|
| IS25C32-2ZI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO14, TSSOP-14 |
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