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IS23SC1604-X6I

更新时间: 2024-01-05 22:47:47
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美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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18页 78K
描述
16-KBIT SECURED SERIAL EEPROM

IS23SC1604-X6I 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIE,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.88
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):0.3 MHz
JESD-30 代码:X-XUUC-NJESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified串行总线类型:3-WIRE
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:30
最长写入周期时间 (tWC):5 msBase Number Matches:1

IS23SC1604-X6I 数据手册

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®
IS23SC1604  
ISSI  
Block Diagram  
Vcc  
HIGH-  
VOLTAGE  
GENERATOR  
POWER ON  
RESET  
GND  
2007 x 8  
EEPROM  
RST  
PGM  
CLK  
ADDRESS DECODER  
FUS  
SECURITY LOGIC  
I/O  
(open drain)  
(internal pull-downs on CLK, FUS, and PGM and internal pull-up on RST)  
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
ADVANCEINFORMATION Rev. 00E  
04/10/03  

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