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IRLR3915TRPBF

更新时间： 2024-02-12 09:46:22
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR3915TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.83
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：120 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR3915TRPBF 数据手册

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IRLR/U3915PbF  
1000  
100  
10  
Duty Cycle = Single Pulse  
Allowed avalanche Current vs  
avalanche pulsewidth, tav  
0.01  
assuming  
Tj = 25°C due to  
∆
avalanche losses  
0.05  
0.10  
1
0.1  
1.0E-08  
1.0E-07  
1.0E-06  
1.0E-05  
1.0E-04  
1.0E-03  
1.0E-02  
1.0E-01  
tav (sec)  
Fig 15. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth  
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16:  
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)  
1. Avalanche failures assumption:  
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a  
temperature far in excess of Tjmax. This is validated for  
every part type.  
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is  
not exceeded.  
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in  
Figures 12a, 12b.  
220  
TOP  
BOTTOM 10% Duty Cycle  
= 30A  
Single Pulse  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
I
D
4. PD (ave) = Average power dissipation per single  
avalanche pulse.  
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for  
voltage increase during avalanche).  
6. Iav = Allowable avalanche current.  
60  
40  
7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed  
Tjmax (assumed as 25°C in Figure 15, 16).  
tav = Average time in avalanche.  
20  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
D = Duty cycle in avalanche = tav ·f  
ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see figure 11)  
Starting T , Junction Temperature (°C)  
J
PD (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·Iav) = DT/ ZthJC  
Fig 16. Maximum Avalanche Energy  
Iav = 2DT/ [1.3·BV·Zth]  
EAS (AR) = PD (ave)·tav  
vs. Temperature  
www.irf.com  
7
1...4567891011

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