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IRLR3915TRPBF

更新时间： 2024-01-17 12:39:55

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR3915TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.83
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLR3915TRPBF 数据手册

IRLR/U3915PbF

500

400

300

200

100

15V

TOP

12A

21A

30A

DRIVER

BOTTOM

D.U.T

V0_GV_S

Ω

0.01

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

100

125

( C)

150

175

Starting Tj, Junction Temperature

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

vs. Drain Current

10 V

2.0

1.5

1.0

0.5

Charge

= 250µA

Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

50KΩ

.2µF

12V

.3µF

D.U.T.

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175 200

3mA

T , Temperature ( °C )

Current Sampling Resistors

Fig 14. Threshold Voltage vs. Temperature

Fig 13b. Gate Charge Test Circuit

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRLR3915TRR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLR3915TRRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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